EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
gnss lte cat 1
gnss lte cat 1 文章 進(jìn)入gnss lte cat 1技術(shù)社區
三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn),計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域
- IT之家 6 月 13 日消息,三星電子在當地時(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申,其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn),回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進(jìn)展順利,預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外,三星電子正在通過(guò)材料和結構方面的創(chuàng )新,積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù),實(shí)現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認,其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統的
- 關(guān)鍵字: 三星 1.4nm 晶圓代工
Intel 14A工藝至關(guān)重要!2025年之后穩定領(lǐng)先
- 這幾年,Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝,希望以最快的速度反超臺積電,重奪領(lǐng)先地位,現在又重申了這一路線(xiàn),尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級工藝,在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前,Intel正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標,Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。其中,Intel 3作為升級版,應用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續發(fā)布,其中前者首次采用純E核設計,最多288個(gè)。In
- 關(guān)鍵字: 英特爾 晶圓 芯片 先進(jìn)制程 1.4nm
三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn),有望基于 4nm 工藝
- 5 月 10 日消息,韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng),三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW(多項目晶圓)的方式進(jìn)行原型試產(chǎn),有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內人士還表示,不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表:今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元(當前約 52.8 億元人民幣)的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工,但在 M
- 關(guān)鍵字: 三星 AI Mach-1 原型試產(chǎn) 4nm 工藝
臺積電準備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)
- 幾個(gè)月前,臺積電發(fā)布了 2023 年年報,但顯然,文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前,我們先來(lái)談?wù)勁_積電的 A14,或者說(shuō)被許多分析師稱(chēng)為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布,該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代",開(kāi)始開(kāi)發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前,臺積電的 3 納米工藝正處于開(kāi)始廣泛采用的階段。因此,1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(cháng)的路要走,很可能會(huì )在 2 納米和 1.8 納米節點(diǎn)之后出現,這意味著(zhù)你可以預期它至少會(huì )在未來(lái)五年甚至更長(cháng)的時(shí)間內出現。著(zhù)
- 關(guān)鍵字: 臺積電 Angstrom 14 1.4納米 工藝
大聯(lián)大詮鼎集團推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案
- 致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下詮鼎推出基于立锜科技(Richtek)RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著(zhù)PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布,USB充電技術(shù)迎來(lái)了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下,傳統的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無(wú)法滿(mǎn)足當前的市場(chǎng)需求。設備制造商需要更新他們的
- 關(guān)鍵字: 大聯(lián)大詮鼎 立锜 PD3.1 快充
Meta 展示新款 MTIA 芯片:5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz
- 4 月 11 日消息,Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后,近日發(fā)布新聞稿,介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝,而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝,采用更大的物理設計(擁有更多的處理核心),功耗也從 25W 提升到了 90W,時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數據中心使用新款 MTIA 芯片,與 MTIA v1 相比,整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
- 關(guān)鍵字: Meta MTIA 芯片 5nm 工藝 90W 功耗 1.35GHz
iPhone 17 Pro將首發(fā)!曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 4月11日消息,根據產(chǎn)業(yè)鏈消息,臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據了解,臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開(kāi)始,而小規模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是,臺積電在亞利桑那州的工廠(chǎng)也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年,臺積電將開(kāi)始推進(jìn)1.4納米工藝節點(diǎn),這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況,臺積電最新的工藝制程很可能會(huì )由蘋(píng)果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時(shí)間表,iPhone 17 Pro將成為首批
- 關(guān)鍵字: iPhone 17 Pro 臺積電 2nm 1.4nm 工藝
One UI 6.1 導致 Galaxy S23 系列手機指紋識別出問(wèn)題
- 4 月 8 日消息,近日,三星為 Galaxy S23 系列機型推送的 One UI 6.1 更新意外導致了手機的指紋識別功能出現故障。有用戶(hù)反映,使用指紋識別解鎖手機時(shí),會(huì )出現第一次識別失敗,手指離開(kāi)后再重新識別才能解鎖的情況。還有用戶(hù)表示,每次使用指紋識別解鎖手機時(shí),系統都會(huì )崩潰,需要連續嘗試兩次才能成功。據 AndroidAuthority 報道,三星韓國社區論壇的一位社區經(jīng)理已經(jīng)確認了該問(wèn)題的存在。他表示:“對于設備使用過(guò)程中出現的不便,我們深表歉意。我們已經(jīng)確認,部分情況下鎖屏的指紋識別功能
- 關(guān)鍵字: One UI 6.1 Galaxy S23 手機指紋 識別
儒卓力系統解決方案推出RAB4新型適配器板
- 創(chuàng )新硬件工具可以經(jīng)濟高效地驗證實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)技術(shù)在許多領(lǐng)域和應用中,精確的定位變得日益重要。實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài) (RTK)技術(shù)的定位精度明顯高于傳統的多GNSS系統,并且成本效益不斷提高。儒卓力系統解決方案 (Rutronik System Solutions) 的專(zhuān)家與儒卓力無(wú)線(xiàn)技術(shù)中心 (Rutronik Wireless Competence Center) 攜手開(kāi)發(fā)了RAB4適配器板,無(wú)需設計任何硬件即可測試 RTK 性能,從而加速預開(kāi)發(fā)階段并降低成本,幫助客戶(hù)更快地將應用推向市場(chǎng)。自動(dòng)駕駛汽車(chē)、無(wú)人機和農業(yè)機械
- 關(guān)鍵字: 儒卓力 定位 RTK GNSS
三星計劃推出Mach-1:輕量級AI芯片,搭配LPDDR內存
- 三星電子DS部門(mén)負責人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在第55屆股東大會(huì )上宣布,將于2025年初推出人工智能(AI)芯片Mach-1,正式進(jìn)軍AI芯片市場(chǎng)。三星希望,能夠在快速增長(cháng)的人工智能硬件領(lǐng)域與其他公司進(jìn)行競爭,比如英偉達。據SeDaily報道,Mach-1屬于A(yíng)SIC設計,被定為為輕量級人工智能芯片,搭配LPDDR內存產(chǎn)品。其擁有一項突破性的功能,與現有的設計相比,能顯著(zhù)降低了推理應用的內存帶寬需求,僅為原來(lái)的八分之一,降低了87.5%。三星認為,這一創(chuàng )新設計將使Mach-1在效率和成本效益
- 關(guān)鍵字: 三星 Mach-1 AI芯片 LPDDR內存
xAI宣布開(kāi)源大語(yǔ)言模型Grok-1并開(kāi)放下載
- 3月18日消息,美國當地時(shí)間周日,埃隆·馬斯克(Elon Musk)旗下的人工智能初創(chuàng )企業(yè)xAI宣布,其大語(yǔ)言模型Grok-1已實(shí)現開(kāi)源,并向公眾開(kāi)放下載。感興趣的用戶(hù)可通過(guò)訪(fǎng)問(wèn)GitHub頁(yè)面github.com/xai-org/grok來(lái)使用該模型。xAI介紹稱(chēng),Grok-1是一款基于混合專(zhuān)家系統(Mixture-of-Experts,MoE)技術(shù)構建的大語(yǔ)言模型,擁有3140億參數。近期,公司發(fā)布了Grok-1的基本模型權重和網(wǎng)絡(luò )架構詳情。該公司表示,Grok-1始終由xAI自行訓練,其預訓練階段于
- 關(guān)鍵字: xAI 開(kāi)源大語(yǔ)言模型 Grok-1
貿澤開(kāi)售加快工業(yè)IoT設備開(kāi)發(fā)的Boundary Devices Nitrogen8M Plus SMARC
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售Boundary Devices的Nitrogen8M Plus?SMARC。Nitrogren8M Plus SMARC是一款符合SMARC 2.1行業(yè)標準的高性能系統級模塊?(SoM),與SMARC載板相結合可組成單板計算機,大大加快產(chǎn)品上市速度。Nitrogen8M Plus SMARC是各種工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)?(IIoT)?應用的
- 關(guān)鍵字: 貿澤 工業(yè)IoT設備 Boundary SMARC 2.1
芯原與新基訊聯(lián)合推出5G RedCap/4G LTE雙模調制解調器解決方案
- 2024年2月7日,中國上?!驹煞荩ㄐ驹?,股票代碼:688521.SH)今日宣布與無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)和通信芯片提供商新基訊科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“新基訊”)共同推出5G RedCap/4G LTE雙模調制解調器(Modem)解決方案。新基訊基于該方案的芯片已完成流片和芯片驗證并投入量產(chǎn),即將面向全球市場(chǎng)正式上市。5G RedCap是國際標準化組織3GPP在5G Release 17版本中,面向中高速物聯(lián)網(wǎng)應用場(chǎng)景所定義的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)技術(shù),與4G LTE共同構建成了完整的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)綜合生態(tài)體系。?芯原與
- 關(guān)鍵字: 芯原 新基訊 5G RedCap 4G LTE 雙模調制解調器
思特威推出全新5000萬(wàn)像素1/1.28英寸圖像傳感器SC580XS
- 2024年1月11日,中國上海 — 思特威(上海)電子科技股份有限公司(股票簡(jiǎn)稱(chēng):思特威,股票代碼:688213),重磅推出其首顆5000萬(wàn)像素1/1.28英寸圖像傳感器新品——SC580XS。此款新品是思特威繼成功量產(chǎn)第一顆22nm HKMG Stack工藝的5000萬(wàn)像素1/1.56英寸產(chǎn)品SC550XS之后,在同一工藝平臺打造的升級產(chǎn)品。作為1.22μm像素尺寸圖像傳感器,SC580XS搭載思特威新一代像素技術(shù)SFCPixel?-2以及PixGain HDR?、AllPix ADAF?等多項技術(shù)和工
- 關(guān)鍵字: 智能手機主攝 思特威 5000萬(wàn)像素 1/1.28英寸 圖像傳感器
gnss lte cat 1介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條gnss lte cat 1!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對gnss lte cat 1的理解,并與今后在此搜索gnss lte cat 1的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對gnss lte cat 1的理解,并與今后在此搜索gnss lte cat 1的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
